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含硫族芳香烃的设计、师函思合成和应用贯穿了π-共轭分子材料及其有机电子器件的整个发展历程，师函思比如聚（3-己基噻吩）（P3HT）是标志性的第二代π-共轭聚合物半导体材料。在过去的几十年中，避风研究工作者们利用协同分子设计策略，避风诸如构建平面共轭骨架、引入长烷基化侧链、前沿分子轨道能级调控、形成有序分子堆积等，以及器件物理如器件界面工程方面的研究成果等，使得π-共轭聚合物及其场效应晶体管（PFETs）研究取得了巨大的进步，基于优秀供体-受体（D−A）聚合物的p-型、n-型和双极性场效应晶体管（PFETs）都已经可以得到非常高的载流子迁移率。

以PET为基底构建的PNBDO-TTT(b)、港反PNBDO-STS(c)和PNBDO-SSS(d)的柔性PFETs的转移曲线。然而，中兴中国专利到目前为止，PFETs的空气稳定性和寿命仍然不能令人满意，因此不断发现具有良好综合性能的新型聚合物半导体材料仍然具有重要的科学意义。基于PNBDO-TTT和PNBDO-STS的柔性场效应晶体管器件表现出较高的电子迁移率，师函思分别为2.41和2.68cm2V−1s−1，师函思而基于PNBDO-SSS的场效应器件的电子迁移率仅为0.012cm2V−1s−1。

基于PNBDO-TTT和PNBDO-STS的柔性PFETs表现出双极载流子传输特性，避风其电子迁移率分别高达2.41和2.68cm2V-1s-1，而PNBDO-SSS只给出很低的电荷迁移率。研究结果表明，港反尽管这三种聚合物半导体材料具有类似的化学结构、港反共轭骨架结构及光学和电化学性能，但是它们固态薄膜中的分子聚集态结构以及场效应晶体管器件的载流子迁移率都具有较大的差异：PNBDO-TTT和PNBDO-STS能够形成了高度有序的、晶态的和具有层状分子堆积方式的聚合物薄膜，而PNBDO-SSS则形成具有无定形分子堆积形态的薄膜。

【总结】研究团队发展了三种含不同硫族芳香烃结构单元包括TTT、中兴中国专利STS或SSS的基于NBDO结构的聚合物半导体材料，中兴中国专利并研究了它们的热学、光学、电化学、理论模拟、分子聚集态结构和载流子传输特性等性质。

师函思作者的结果表明硫族原子的类型和数量对A-D-Aꞌ-D型共聚物的光电性能有显著影响。广州铝门窗幕墙新产品博览会始于1995年，避风由中国建筑金属结构协会铝门窗幕墙分会主办，英富曼会展集团广州城博建科展览有限公司承办。

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